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尖端半导体制造迎来新突破?佳能阿斯麦领衔迈入2纳米时代

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编辑:电经淘讯
时间:2023-12-27

近期有报道称尖端半导体制造领域取得了新的突破。这是一个令人欣喜的消息,对于推动科技创新、促进产业发展具有重要意义。
    连日来与尖端半导体制造有关的消息不断传出。《日本经济新闻》25日报道称,日本佳能公司的纳米压印技术有望制造2纳米半导体。当地时间21日,全球最大光刻机制造商荷兰阿斯麦向美国英特尔公司运送全球首台新型高数值孔径极紫外光刻机(High NA EUV)。围绕尖端芯片制造设备的争夺战正式开始,全球芯片制造商间的激烈竞争又添新变量。


 

     2纳米制造设备来了?
   据《日本经济新闻》报道,佳能半导体机器业务部长岩本和德介绍了一种搭载自主“纳米压印”技术的设备,有望可以制造2纳米半导体。报道称,与利用强光在晶圆上烧刻电路不同,纳米压印可以像印章一样压印原版,由于其低成本和低耗电量的特性,“备受半导体厂商期待”。
   在此之前阿斯麦在社交媒体平台X上宣布,他们已向英特尔公司交付了首台新型High NA EUV。英国路透社报道称,高数值孔径极紫外光刻机每台成本超3亿美元,体积比卡车还大,预计将从2026年或2027年起用于商业芯片制造,可以生产“更小、更快的半导体”。
   半导体专家、CHIP奇谱科技总编罗国昭25日在接受《环球时报》记者采访时表示,高数值孔径是一个面向未来的技术,在光刻机的技术发展中非常关键。它突破了光刻机既有系统的技术限制,可在光刻机上实现2纳米乃至更先进的芯片生产。这一技术的引入将硅基芯片的生命周期继续延伸,此前业界普遍预计,硅基芯片将在2纳米时代终结,更先进芯片将转向光子或碳基。
   这项技术将有效延长EUV(极紫外光刻)光源技术的生命周期,继续降低刻蚀光波长的紧迫性,未来可依靠高数值孔径技术,在现有光源技术上实现2纳米制程及以上芯片的生产。

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